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原装IRFR210结型场效应管P沟道
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR210 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 原装现货晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:1.5 Ohms 汲极/源极击穿电压:200 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:2.6 A功率耗散:2.5 W 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DPAK封装:Reel 最小工作温度:- 55 CStandard Pack Qty:2000
原装2SK2769结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2769 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HA/行输出级 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 原装现货产品种类:MOSFET 小信号 RoHS:dzsc/18/6473/18647391.gif 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:2.8 Ohms 汲极/源极击穿电压:30 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:200 mA功率耗散:200 mW 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SMT-3
