IRF3205 全新原装IR 110A50V增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 4.00 |
| 品牌/商标 | 美国IR | 型号/规格 | IRF3205 全新原装墨西哥产地 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-INM/独立组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 50（V） |
- 所属城市：上海 上海
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结型场效应管P沟道 IRF9640S 全新原装
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF9640S 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 述 II IRF9640S晶体管极性:P沟道电压, Vds :200V开态电阻, Rds(on):0.5ohm功耗:125W封装类型:D2-PAKSVHC(高度关注物质):No SVHCSMD标号:IRF9640S功率, Pd:125W功耗(于1平方英寸PCB):3W封装类型:D2-PAK封装类型, 替代:D2-PAK晶体管类型:MOSFET温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:200V电压, Vds 典型值:-200V电流, Id 连续:11A电流, Idm 脉冲:44A表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th 典型值:-4V阈值电压, Vgs th :-4V
IRF9Z34 全新原装IR
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF9Z34 全新原装IR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 60（V） IRF9Z34 全新原装IRP沟道 60V 18A
