品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | 2SA1408 |
应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | PNP型 | 结构 | 点接触型 |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 陶瓷封装 |
部件型号 | 2SA1408 | |
极性 | PNP | |
互补产品 | 2SC3621 | |
集电极-发射极电压VCEO | -150 V | |
集电极电流(DC) IC(DC) | -1.5 A | |
封装 | TO-126 | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
载带信息 | 引线型元器件 | |
产品分类 | 高频开关功率晶体管 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SK2968(F,T) 应用范围 功率 环保无铅,原装进口。部件型号2SK2968 极性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)70 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.25 Ω 封装TO-3P(N) 产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 装配基础日本, 泰国RoHS Compatible Product(s) (#)Available
品牌/商标 TOSHIBA 型号/规格 2SJ304(F) 类别 贴片 封装形式 TO-220NIS 应用范围 功率 型号2SJ304极性P沟漏源电压VDSS-60 V漏电流ID-14 A漏功耗PD40 W门电荷总数Qg(nC) (标准)45漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=4V0.19 Ω漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.12 Ω封装TO-220NIS产品分类功率MOSFET ( P溝功率MOSFET)装配基础日本, 泰国