让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>东芝半导体2SA1408

东芝半导体2SA1408

价 格: 0.40

品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SA1408
应用范围 功率 材料 硅(Si)
极性 PNP型 结构 点接触型
封装形式 直插型 封装材料 陶瓷封装

部件型号2SA1408 
极性PNP 
互补产品2SC3621 
集电极-发射极电压VCEO-150 V 
集电极电流(DC) IC(DC)-1.5 A 
封装TO-126 
管脚数3 
表面安装型N 
载带信息引线型元器件 
产品分类高频开关功率晶体管 
RoHS Compatible Product(s) (#)Available

上海敏佑电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 赵隆基
  • 电话:21-55153205
  • 传真:21-55153205
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

热卖2SK2968(F,T)功率三极管

信息内容:

品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SK2968(F,T) 应用范围 功率 环保无铅,原装进口。部件型号2SK2968 极性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)70 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.25 Ω 封装TO-3P(N) 产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 装配基础日本, 泰国RoHS Compatible Product(s) (#)Available

详细内容>>

2SJ304(F)功率三极管

信息内容:

品牌/商标 TOSHIBA 型号/规格 2SJ304(F) 类别 贴片 封装形式 TO-220NIS 应用范围 功率 型号2SJ304极性P沟漏源电压VDSS-60 V漏电流ID-14 A漏功耗PD40 W门电荷总数Qg(nC) (标准)45漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=4V0.19 Ω漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.12 Ω封装TO-220NIS产品分类功率MOSFET ( P溝功率MOSFET)装配基础日本, 泰国

详细内容>>

相关产品