三极管BYV72EW-200 FEP30DP
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | BYV72EW-200 FEP30DP |
| 应用范围 | 功率 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 中频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 截止频率fT | 0（MHz） | 集电极允许电流ICM | 0（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 0（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | 热销 |
- 所属城市：广东 汕头
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场效应APT50GT120B2RDQ2G
信息内容：品牌/商标 APT 型号/规格 APT50GT120B2RDQ2G 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 场效应APT50GT120B2RDQ2G 本公司经营功放配对管、行管、场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压等大中功率管.更多型号咨询QQ：190389897 或发邮件到zhuiyuandz@163.com也可以登陆http:/...
长期SMP40N10 40N10 (TO220)
信息内容：品牌/商标 Vishay威世 型号/规格 SMP40N10 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 0（V） 集电极允许电流ICM 0（A） 集电极耗散功率PCM 0（W） 截止频率fT 0（MHz） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 长期供应SMP40N10 40N10 (TO220) 本公司经营功放配对管、IGBT、行管、场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压等大中功率管.更多型号咨询QQ：190389897 或发邮件到zhuiyuandz@163.com也可以登陆http://zhuiyuandz.cn.alibaba.com查询 dzsc/18/6440/18644060.jpg
