ＭＯＳ管耗尽型MOS管N沟道
| 价 格： | 0.05 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | Ａ０４６１１ |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D-G双栅四极 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | １０００（V） | 夹断电压 | １（V） |
| 低频跨导 | ５（μS） | 极间电容 | ２（pF） |
| 低频噪声系数 | １００（dB） | 漏极电流 | １０（mA） |
| 耗散功率 | ０.０１（mW） |
货期：现货供应
原产地：墨西哥/韩国/中国（原装进口）
包装方式：管装。型号后带TR则代表盘装
最小购货量：50只
质量/安全认证：IR产品已通过ISO 9001:2000认证，无铅环保
亿铭电子品质承诺：只有原装，只做原装
- 所属城市：广东 东莞
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- 联系人： 陈振鸿
- 电话：0769-83535286
- 传真：0769-83535286
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场效应管 AO4611增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 HIT日本日立 型号/规格 AO4611 SOP-8 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1000（V） 夹断电压 1000（V） 低频跨导 500（μS） 极间电容 500（pF） 低频噪声系数 0.01（dB） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 0.1（mW） 货期：现货供应原产地：墨西哥/韩国/中国（原装进口）包装方式：管装。型号后带TR则代表盘装 质量/安全认证：IR产品已通过ISO 9001:2000认证，无铅环保品质承诺：只有原装，只做...
