高压场8N60
| 价 格： | 1.50 |
| 品牌/商标 | 美国仙童 | 型号/规格 | 8N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 20（μS） | 极间电容 | 2000（pF） |
| 低频噪声系数 | 22（dB） | 漏极电流 | 8A（mA） |
| 耗散功率 | 100（mW） |
供应系列600V场效应管
1N60-20N60
3N50-20N50
4N40-17N40
K1117,K1118
K2141
K2545
K2333
K2761
K2843
K2996
K3115
K3561-3569
- 所属城市：广东 汕头
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6A 600V场效应MOS管SSS6N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 SSS6N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 600（V） 极间电容 3000（pF） 低频噪声系数 30（dB） 漏极电流 6A（mA）
56A 100V场效应MOS管HUF75639P
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 HUF75639P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 100（V） 极间电容 2000（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 56A（mA） 耗散功率 180（mW）
