品牌/商标 | VI | 型号/规格 | MP22A |
封装 | 5个脚 | 批号 | 11+ |
类型 | 其他IC |
通道: | 1 Channel |
钳位电压: | 30.6 V |
工作电压: | 18.8 V |
封装 / 箱体: | DO-220AA |
击穿电压: | 20.9 V to 23.1 V |
端接类型: | SMD/SMT |
峰值浪涌电流: | 13.1 A |
峰值脉冲功率耗散: | 400 W |
工作温度: | + 185 C |
最小工作温度: | - 65 C |
封装: | Reel |
尺寸: | 2.18 (Max) mm W x 3.61 (Max) mm L |
货批发原装进口IC,欢迎查询订购
品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2520 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 原装现货,欢迎查询配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.17 Ohms 汲极/源极击穿电压:60 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:5 A功率耗散:20 W 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:CPT3封装:Reel 最小工作温度:- 55 C
品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK3450 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.4 Ohms 汲极/源极击穿电压:450 V闸/源击穿电压:30 V 漏极连续电流:13 A功率耗散:100 W 安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FL/SM 封装:Bulk