品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFD220 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
原装现货
产品种类: | MOSFET 小信号 |
RoHS: | 否 |
配置: | Single Dual Drain |
晶体管极性: | N-Channel |
汲极/源极击穿电压: | 200 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏极连续电流: | 0.8 A |
功率耗散: | 1000 mW |
工作温度: | + 150 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | HexDIP-4 |
封装: | Tube |
最小工作温度: | - 55 C |
Standard Pack Qty: | 2500 |
产品类型 整流管 品牌/商标 长电 型号/规格 1N4738 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 陶瓷封装 功率特性 大功率 频率特性 高频
品牌/商标 IR 型号/规格 40CPQ100PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-P-FET锗P沟道 原装现货描述二极管类型:肖特基式电压, Vrrm:100V电流, If 平均:20A正向电压 Vf :490mV电流, Ifs :3.5kA工作温度范围:-55°C 到 +175°C封装形式:TO-247AC针脚数:3封装类型:TO-247AC正向电流 If:20A电流, If @ Vf:20A电流, Ifsm:2.95kA结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装