现货BAR18LT1G
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 0N | 型号/规格 | BAR18LT1G |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | .（V） | 夹断电压 | .（V） |
| 跨导 | .（μS） | 极间电容 | .（pF） |
| 低频噪声系数 | .（dB） | 漏极电流 | .（mA） |
| 耗散功率 | .（mW） |
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TD1501S50原装泰德稳压IC
信息内容：品牌/商标 TECHCODE泰德 型号/规格 TD1501S50 封装 TO-263-5 批号 10+ 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 .（mm） 工作温度 -40~125（℃） 静态功耗 .（mW） 类型 稳压IC TD1501正常工作输入电压DC3.6V-45V／输出电压3.3／5V／ADJ（1.23V-43V）／频率150KHz／内置限流保护。过热保护与短路保护／工作负载电流4A／效率90﹪／所有技术误差小于设定的3﹪。／是一款高效率低损耗大电流／工作电压范围大，工作稳定／性价比很高，使用面广的DC／DC电源管理芯片。全新原装TECHCODE泰德 TD1501S50 现货40K 优势供应
场效应管|结型场效应管N沟道，AP9972GP
信息内容：品牌/商标 APEC 型号/规格 AP9972GP 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 11（mA） 耗散功率 1（mW） 原装现货供应AP99AP1332EUAP13P15GSAP15N03GJAP15N03GPAP15T03HAP15P10GPAP15P10GSAP20P02HAP20N02JAP20N03PAP2305ANAP2306ANAP2307GNAP2309GNAP2310GNAP2311N / GNAP2312GNAP2316GN
