品牌/商标 ON 型号/规格 MBR20100CTG 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 P-FET硅P沟道 原装现货描述二极管类型:肖特基式电压, Vrrm:100V电流, If 平均:10A正向电压 Vf :950mV电流, Ifs :150A封装形式:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)器件标记:MBR20100CT封装类型:TO-220AB正向电流 If:10A电流, If @ Vf:10A电流, Ifsm:150A结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装
品牌/商标 ON 型号/规格 MBR2545CTG 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 原装现货描述二极管类型:肖特基式电压, Vrrm:40V电流, If 平均:15A正向电压 Vf :820mV电流, Ifs :150A封装形式:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)器件标记:MBR2545CT封装类型:TO-220AB正向电流 If:30A电流, If @ Vf:30A电流, Ifsm:150A结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装