品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | IRF640 |
应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | ,(V) |
集电极允许电流ICM | ,(A) | 集电极耗散功率PCM | ,(W) |
截止频率fT | ,(MHz) | 结构 | 平面型 |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
品牌/商标 进口 型号/规格 C5301 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO .(V) 集电极允许电流ICM .(A) 集电极耗散功率PCM .(W) 截止频率fT .(MHz) 结构 平面型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装
品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK962,K962 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 ,(V) 夹断电压 ,(V) 极间电容 ,(pF) 低频噪声系数 ,(dB) 漏极电流 ,,(mA) 耗散功率 ,(mW) ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,