拆机场效应K2655,2SK2655
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | K2655,2SK2655 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | ,（V） | 夹断电压 | ,（V） |
| 跨导 | ,（μS） | 极间电容 | ,（pF） |
| 低频噪声系数 | ,（dB） | 漏极电流 | ,,（mA） |
| 耗散功率 | ,（mW） |
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- 所属城市：广东 汕头
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拆机场效应管 FGA15N120
信息内容：品牌/商标 仙童 型号/规格 FGA15N120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 ,（V） 夹断电压 ,（V） 跨导 ,（μS） 极间电容 ,（pF） 低频噪声系数 ,（dB） 漏极电流 ,（mA） 耗散功率 ,（mW） 品牌:仙童 型号:FGA15N120,25N120 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:...
拆机三极管D1897 D1889 D2627
信息内容：品牌/商标 进口 型号/规格 D1897 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO ,（V） 集电极允许电流ICM ,（A） 集电极耗散功率PCM ,（W） 截止频率fT ,（MHz） 结构 平面型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 ，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，dzsc/18/7678/18767860.jpgdzsc/18/7678/18767860.jpgdzsc/18/7678/18767860.jpg
