三菱高频分立MOSFET管 RD07MVS1
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | RD07MVS1 | |
| 品牌/商标： | MITSUBISHI（三菱） | |
| 封装形式： | SLP | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 |
RD07MVS1是MOS FET型晶体管专为VHF/UHF RF功率放大器应用
特性：高功率增益：Pout>7W, Gp>10dB@Vdd=7.2V,f=520MHz高效率：60%typ. (175MHz)高效率：55%typ. (520MHz) 应用：对于输出的高功率放大器阶段VHF/UHF 频带移动无线sets ROHS柔性：RD07MVS1-101,T112是RoHS兼容产品.RoHS遵守表明该地段后由信“G”扣分.该产品包括高熔融高温型焊料中的铅.如何以往，它适用于RoHS方向以下情况除外.1.Lead高熔融焊锡（i.e.tin无铅焊料合金中含有较多的than85%.）
深圳浩时健电子有限公司是国内三菱射频电子元器件供应商，三菱射频产品广泛应用用于移动通信基站、直放站、卫星通信、有线电视、雷达、无线本地环等领域。积极向国内生产和科研单位推荐新产品：日本三菱公司生产的系列射频功率放大模块、系列射频场效应三极管。多年以来已为国内众多的生产厂家、科研院所、大专院校、国家重要单位维修部门的生产、维修、研制开发新品、教学实验等提供了准确、快捷、方便的配套供货服务。在经营运作上,我公司批发、零售兼营，可向用户长期保证货源，并保证供货品种的技术指标满足相关的国际检测标准。
三菱（MITSUBISHI）:HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET管）
RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1、RD06HHF1、RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD01MUS1、RD02MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD全系列。
三菱（MITSUBISHI）：（射频功率放大模块）
RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M、RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1、RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、RA01L8693MA等RA全系列。
本公司长期经营日本MITSUBISHI三菱全系列射频功率放大模块，保证全新原装，现货，批号无铅环保，假一罚十。深圳、香港公司备有大量现货库存，可提供样品，现特价热卖中。
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供应霍尔位置传感器 VF413A
信息内容：VF4系列系列双极霍尔效应数字位置传感器;径向引线IC封装 VF400系列位置传感器在整个温度范围的热平衡的集成电路。负赔偿边坡进行了优化匹配的成本较低的磁铁的负温度系数。 双极性，闭锁和单极磁。带隙的调节提供了非常稳定运行超过380 VDC至30 VDC的电源电压范围。 注：锁定装置的电源中断，可能会导致输出改变状态时恢复供电。如果有足够的强度的磁场存在，传感器的输出会是由磁场决定的条件。 特点： 数字灌电流输出 四厅设计，几乎消除了机械应力的影响 温度补偿磁 操作/释放点，可定制 高输出电流能力 操作/释放点为零高斯（双极/锁存）左右对称 包装材料：Plaskon 330
供应霍尔传感器 SS50AT
信息内容：SS30AT/SS40A/ SS50AT 系列传感器是多功能双极霍尔效应传感器。这些灵敏的磁传感器提供反向极性保护并在40℃至 125℃ [-40° F 至 257° F] 的温度范围内提供稳定的输出。工作时可接受 4.5Vdc 至 24.0Vdc 的直流 (dc)供电电压。 SS30AT/SS40A/SS50AT 系列传感器是建立在霍尼韦尔通用的磁位置传感器基础上，并具有多种优势。这些传感器的设计采用了技术，为许多商用、计算机、医疗，甚至要求电机控制和转速测量的消费电子产品提供了经济可靠的解决方案。这些产品有三种封装型式，以适应各种各样的应用场合。 SS40A直插扁平引线TO-92型封装，可散装(每袋 1000件) 或编带包装。在 SS30AT中具有超小型的 SOT- 23 型表面安装的封装，并在 SS50AT 中具有小型的 SOT-89B 型表面安装的封装，这两种型号在使用中都提供卷带式的包装，适用于贴装设备。表面安装型是直接安装在印刷电路板(PCB) 上。由于自动再流焊且不要求电路板上有孔，因此有助于降低印刷电路板的成本 (PCB)。 特点： 超小型封装尺寸 (SS30AT)可允许使用于紧凑的印刷电路板空间 小型封装尺寸 (SS40A、SS40AT)允许用于较大空间的印刷电路板上 响应南北极交互变化的磁场，适用于速度传感和转速测量 坚实的...
