12N60 MOS管
| 价 格： | 1200.00 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | 12N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 120（μS） | 极间电容 | 30（pF） |
| 低频噪声系数 | 2（dB） | 漏极电流 | 10（mA） |
| 耗散功率 | 10（mW） |
- 所属城市：上海 上海市
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肖特基二极管(SINO-IC)
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 肖特基 B2060 产品类型 肖特基管 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 正向直流电流IF 1（A） 反向电压 20（V） 上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下：（电话：021-33933508）产品类别 型号 封装肖特基B2040TO220(F)肖特基B2060TO220(F)肖特基B2080TO220(F)
开关IC(图)MOS管
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 6N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 60（μS） 极间电容 800（pF） 低频噪声系数 800（dB） 漏极电流 800（mA） 耗散功率 800（mW）
