品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFBC40 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购
产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: | 否 |
配置: | Single |
晶体管极性: | N-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 1.2 Ohms |
汲极/源极击穿电压: | 600 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏极连续电流: | 6.2 A |
功率耗散: | 125 W |
工作温度: | + 150 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220AB |
封装: | Tube |
最小工作温度: | - 55 C |
产品类型 稳压管 品牌/商标 长电 型号/规格 1N4148BK 结构 台面型 材料 硅(Si) 封装形式 功率型 封装材料 树脂封装 功率特性 大功率 发光颜色 电压控制 LED封装 有色透明(C) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品:Switching Diodes 峰值反向电压:100 V正向连续电流:0.2 A 浪涌电流:4 A配置:Single 恢复时间:4 ns正向电压下降:1 V 反向漏泄电流:0.025 uA工作温度范围:+ 200 C 封装 / 箱体:SOD-27封装:Reel 工作温度:+ 200 C最小工作温度:- 65 C 安装风格:SMD/SMT
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFZ44NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 原装现货,欢迎查询产品种类:MOSFET 功率 RoHS:否配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.024 Ohms 汲极/源极击穿电压:50 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:50 A功率耗散:150 W 工作温度:+ 175 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube 最小工作温度:- 55 C