品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFR420TR |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
原装现货
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电阻汲极/源极 RDS(导通): | 3 Ohm at 10 V |
正向跨导 gFS(值/最小值): | 1.5 S |
汲极/源极击穿电压: | 500 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏极连续电流: | 2.4 A |
功率耗散: | 2.5 W |
工作温度: | + 150 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | DPAK |
封装: | Reel |
栅极电荷 Qg: | 19 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
Standard Pack Qty: | 2000 |
品牌/商标 IR 型号/规格 30CPQ100PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-P-FET锗P沟道
品牌/商标 Agilent 型号/规格 hcnw138 封装 DIP-8 批号 2009 类型 通信IC 现货提供,质量有保证,欢迎查询配置:1 Channel 电流传递比:1500 %波特率:100 KBps 正向二极管电压:1.85 V反向二极管电压:3 V 输入二极管电流:20 mA功率耗散:135 mW 工作温度:+ 70 C最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:PDIP-8封装:Tube 输入类型:DC绝缘电压:5000 Vrms 最小正向二极管电压:1.25 V输出设备:Photodarlington