场效应管1N60 DG1N60 TO-220 原装
| 价 格： | 0.45 |
| 品牌/商标 | 东光 | 型号/规格 | 1N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 650（V） |
| 跨导 | 4000（μS） | 极间电容 | 8（pF） |
| 低频噪声系数 | 23（dB） | 漏极电流 | 100（mA） |
| 耗散功率 | 250（mW） |
- 所属城市：广东 东莞
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场效应管4N60 DG4N60 TO-220 原装
信息内容：品牌/商标 东光 型号/规格 4N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 650（V） 跨导 4000（μS） 极间电容 8（pF） 低频噪声系数 23（dB） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 250（mW） 产品参数 T=25 Characteristics(参数）Symbol(符号）Value(额定值）Units(单位）漏源反向击穿电压BV dss600V连续漏极电流I d4.4A栅源电压V gs±30V雪崩能量E as260mJ耗散功率P d106W储存温...
原装L7905CV TO-220三端稳压管
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 L7905CV 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 5（V） 集电极允许电流ICM 1.5（A） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装
