品牌/商标 | 松下 | 型号/规格 | 250V1UF |
介质材料 | 法拉(超级) | 应用范围 | 安规 |
外形 | 方块状 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 调节方式 | 固定 |
引线类型 | 同向引出线 | 允许偏差 | ±10(%) |
耐压值 | 250(V) | 等效串联电阻(ESR) | 1(mΩ) |
标称容量 | 1(uF) | 损耗 | 1 |
额定电压 | 250(V) | 绝缘电阻 | 1(mΩ) |
温度系数 | 1 |
生产、直销系列薄膜电容器,产品包括精密超小薄膜电容MSF(CL21X)、PPN(CBB12、CBB13)、MPP(CBB21、CBB22)、MRK、PPS(CBB81)、PEL(CL11)、MEF(CL21)、抗干扰MPX(X2)等系列薄膜电容器。产品质量稳定、价格合理、按时供货,热忱欢迎广大客户来人来电咨询洽谈!
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 LV7806CV 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 220(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 15000(mA) 耗散功率 1(mW)
品牌/商标 CET 型号/规格 CEP72A3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 SP/特殊外形 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW)