产品类型 | 整流管 | 品牌/商标 | TOSHIBA东芝 |
型号/规格 | US1G US1J US1K US1M | 结构 | 面接触型 |
材料 | 锗(Ge) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 超高频 | 反向电压VR | US1M(V) |
正向直流电流IF | US1M(mA) |
US1G US1J US1K US1M
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品牌/商标 SAMSUNG(三星) 型号/规格 1206 475K 4.7uf 25V,CL31A475KAHNNNE 介质材料 陶瓷(瓷介) 应用范围 广泛 外形 方块状 功率特性 中功率 频率特性 中频 调节方式 固定 引线类型 无引线 允许偏差 ±10(%) 耐压值 25(V) 等效串联电阻(ESR) CL31A475KAHNNNE(mΩ) 标称容量 4.7(uF) 损耗 CL31A475KAHNNNE 额定电压 CL31A475KAHNNNE(V) 绝缘电阻 CL31A475KAHNNNE(mΩ) 温度系数 CL31A475KAHNNNE ...
品牌/商标 ON安森美 型号/规格 NTD80N02R 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 供应NTD80N02R TO-252原装环保供应NTD80N02R TO-252原装环保供应NTD80N02R TO-252原装环保供应NTD80N02R TO-252原装环保供应NTD80N02R TO-252原装环保供应NTD80N02R TO-252原装环保供应NTD80N02R TO-252原装环保供应NTD80N02R TO-252原装环保供应NTD80N02R TO-252原装环保