价 格: | 1.00 |
品牌/商标 | INFINION | 型号/规格 | BC817-16-E6327 |
封装 | ORIGINAL | 批号 | 2009 |
类型 | 其他IC |
现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购
配置: | Single |
晶体管极性: | NPN |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23 |
集电极—发射极电压 VCEO: | 45 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V |
集电极连续电流: | 500 mA |
直流电集电极电流: | 1 A |
功率耗散: | 330 mW |
工作频率: | 170 MHz |
工作温度: | + 150 C |
封装: | Reel |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 |
Gain Bandwidth Product fT: | 170 MHz |
最小工作温度: | - 65 C |
品牌/商标 JRC 型号/规格 NJM2903M (TE2) 封装 SPP8 批号 2007 类型 其他IC 原装现货,欢迎查询产品种类:校验器 IC RoHS:dzsc/18/6221/18622117.gif 详细信息通道数量:2 Channels 产品:Analog Comparators输出类型:Open Collector 响应时间:1.5 us补偿电压(值):7 mV 输入偏流(值):250 nA电源电压(值):36 V 电源电压(最小值):2 V电源电流(值):1 mA 功率耗散:300 mW工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DMP-8 封装:Reel最小工作温度:- 40 C
品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2769 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/6224/18622472.gif 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):3 Ohms 汲极/源极击穿电压:500 V闸/源击穿电压:+/- 30 V 漏极连续电流:2 A功率耗散:20 W 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:CPT3封装:Reel 最小工作温度:- 55 CStandard Pack Qty:2500