SE2N7002 集成设计IC
| 价 格： | 300.00 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE2N7002(SE2102) |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：上海 上海市
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SE2N7002K MOS管
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE2N7002K 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
SE7N7002 N沟MOS SOT-523 睿芯
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE7N7002 N沟MOS SOT-523 睿芯 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
