品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | BUL903ED |
应用范围 | 开关 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | Vceo=400V Vcbo=900V(V) |
集电极允许电流ICM | 5(A) | 集电极耗散功率PCM | 75(W) |
结构 | 外延型 | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 树脂封装 |
描述
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQNL2N50B 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 漏极电流 0.35A(mA) 耗散功率 1.5W(mW) 標準包裝 6,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單Series QFET安裝類型 通孔FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 500V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 350mA開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 9 歐姆 @ 135mA, 10VVds時的輸入電容(Ciss) 230pF @ 25V功率 - 1.5W封裝 散裝閘電流(Qg) @ Vgs 8nC @ 10V封裝/外殼 TO-92LFET特點 標準
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR420A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4.5(V) 夹断电压 0(V) 跨导 1.4S(μS) 漏极电流 3.3A(mA) 耗散功率 83W(mW)