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原装50WQ06FNTRR增强型MOS管N沟道

价 格: 1.00

品牌/商标 IR 型号/规格 50WQ06FNTRR
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 L/功率放大
封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道

原装现货

 

说明:               肖特基(二极管与整流器) 5.5 Amp 60 Volt                                                                                                     
反向漏泄电流:  3000uA                         
正向电压下降:0.74 V at 10 A                                                                      

深圳市新源江贸易有限公司
公司信息未核实
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  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 李俊龙
  • 电话:0755-83957788
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品牌/商标 IR 型号/规格 50WQ04FN 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 原装现货 说明:肖特基(二极管与整流器) 5.5 Amp 40 Volt 正向连续电流:5.5 A 反向漏泄电流:3000 uA

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