价 格: | 0.30 |
品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | B30A45VN |
应用范围 | 功率 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 高频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 平面型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
截止频率fT | /(MHz) | 集电极允许电流ICM | /(A) |
集电极耗散功率PCM | /(W) | 营销方式 | 拆机 |
产品性质 | 热销 |
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 W8NB100 8N100 W8NB80 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 /(V) 夹断电压 /(V) 跨导 /(μS) 极间电容 //(pF) 低频噪声系数 /(dB) 漏极电流 /(mA) 耗散功率 /(mW)
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 D650 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 SB肖特基势垒栅 开启电压 /(V) 夹断电压 /(V) 跨导 /(μS) 极间电容 /(pF) 低频噪声系数 /(dB) 漏极电流 /(mA) 耗散功率 /(mW)