品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFZ34NPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | MES金属半导体 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
品牌/商标 SAMSUNG(三星) 型号/规格 0603 100PF 介质材料 陶瓷(瓷介) 应用范围 低压 外形 叠片形 功率特性 小功率 频率特性 低频 调节方式 固定 引线类型 无引线 允许偏差 ±5(%) 耐压值 50(V) 等效串联电阻(ESR) 原厂规格(mΩ) 标称容量 原厂规格(uF) 损耗 原厂规格 额定电压 50(V) 绝缘电阻 原厂规格(mΩ) 温度系数 原厂规格
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF7329TRPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HI-IMP/高输入阻抗 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 100(V) 跨导 110(μS) 极间电容 1100(pF) 低频噪声系数 11(dB) 漏极电流 100(mA) 耗散功率 100(mW)