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FGH40N60SFD

价 格: 1.00

品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FGH40N60SFD
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 L/功率放大
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 600V 40A(V) 夹断电压 .(V)
跨导 .(μS) 极间电容 .(pF)
低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA)
耗散功率 .(mW)

优势供应原装IGBT: 

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深圳赛格电子市场天威电子展销柜
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AP9972GP结型场效应管N沟道

信息内容:

品牌/商标 AP9972GP 型号/规格 AP9972 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 SP/特殊外形 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 原装台湾富顶大量现货价格优势AP9972GP AP432TAP432T(lead free)AP01N60HAP01N60JAP02N60iAP02N60PAP02N90JAP03N70P-HAP03N70P-AAP04N70BP-AAP04N70BP-AAP09N70P-PAP09N70P-AAP15N03GHAP15N03HAP20N03PAP40N03GP(bag)AP...

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AP28G45GEO优势

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品牌/商标 APEC 型号/规格 AP28G45GEO 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 .(V) 夹断电压 .(V) 跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 ..(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW)

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