品牌/商标 | IDT | 型号/规格 | 74FCT640P |
封装 | DIP20 | 批号 | 08+ |
类型 | 其他IC |
公司供应散新原字原脚 74FCT640P 欢迎查询
逻辑类型: | CMOS |
逻辑系列: | 74FCT |
每芯片的通道数量: | 8 |
输入电平: | TTL |
输出电平: | TTL |
输出类型: | 3-State |
高电平输出电流: | - 32 mA |
低电平输出电流: | 64 mA |
传播延迟时间: | 6.3 ns |
电源电压(值): | 5.25 V |
电源电压(最小值): | 4.75 V |
工作温度: | + 85 C |
封装 / 箱体: | SSOP-24 |
封装: | Reel |
功能: | Bus Transceiver / Register |
最小工作温度: | - 40 C |
安装风格: | SMD/SMT |
电路数量: | 8 |
极性: | Non-Inverting |
品牌/商标 Agilent 型号/规格 hcnw2601 封装 SOP-8 批号 2004 类型 通信IC 现货提供,质量有保证,欢迎查询产品种类:高速光耦合器 RoHS:dzsc/18/6170/18617091.gif 详细信息配置:1 Channel 波特率:10 MBps正向二极管电压:1.85 V 反向二极管电压:3 V功率耗散:85 mW 工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:PDIP-8封装:Tube 绝缘电压:5000 Vrms连续输出电流:50 mA 下降时间:10 ns正向二极管电流:20 mA 上升时间:24 ns最小正向二极管电压:1.25 V 输出设备:Logic Gate Photo IC
品牌/商标 IR 型号/规格 IRF820 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 IGBT绝缘栅比极 进口原装现货,质量有保证,价优.描述:MOSFET 功率 N-Chan 500V 2.5 Amp产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/6180/18618003.gif详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):3 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值):3 S汲极/源极击穿电压:500 V 闸/源击穿电压:+/- 30 V漏极连续电流:4 A 功率耗散:80 W工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube最小工作温度:- 65 C