品牌/商标 | ST | 型号/规格 | IRF630 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 |
材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2.5(V) |
夹断电压 | 250(V) | 极间电容 | /(pF) |
低频噪声系数 | /(dB) | 漏极电流 | /(mA) |
耗散功率 | /(mW) |
IRF630 基本参数. VDSS, 200 V, 9.5 A. RDS(on) Max, 300 mΩ.裕盛电子电话:0754-84497561/15322554561长期批发零售TO-220,TO-252,TO251,TO-126,TO-3P,等封装的达林顿三极管,普通三极管,音响互补三极管,高压三极管,场效应管,肖特基二极管,快恢复二极管,可控硅,三端稳压,DIP,SOP,QFP等封装的集成电路,价格有优势,所有产品都支持支付宝。欢迎查询选购
品牌/商标 SEC,ST,F,MOT,IR,哈里斯 型号/规格 中功率场效应管 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 开启电压 /(V) 夹断电压 /(V) 跨导 /(μS) 极间电容 /(pF) 低频噪声系数 /(dB) 漏极电流 /(mA) 耗散功率 /(mW)
品牌/商标 TOSHIBA 型号/规格 B673-Y,2SB673-Y 应用范围 达林顿 功率特性 中功率 频率特性 低频 极性 PNP型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 TO-220 封装材料 金属封装 截止频率fT /(MHz) 集电极允许电流ICM 7(A) 集电极耗散功率PCM 40(W) 营销方式 现货 产品性质 热销