IRGB10B60KD，IRGB10B60
| 价 格： | 4.50 |
| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRGB10B60KD，SGP10N60RUFD，IKA10N60，GB10B60KD |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
- 所属城市：广东 深圳
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可控硅，40TPS12A，40TPS12APBF
信息内容：品牌/商标 IR（国际整流器） 型号/规格 40TPS12APBF 封装材料 金属封装 控制方式 场控 极数 三极 正向重复峰值电压 1200（V） 功率特性 大功率 营销方式 现货 ParameterValuePackage TO-247AC Circuit DISCRETE VDRM (V) 1200 IT(RMS) (A) 55 IT(AV) (A) 35 @ TC 70 ITSM @50Hz (A) 600 ITSM @60Hz (A) 500 VGT (V) 2.5 IGT (mA) 150 VTM (V) 1.85 @ ITM comp. (a) 110 dv/dt 500 Rth(JC) 0.6 PbF PbF Option Available
PHILIPS可控硅 BT136-600D
信息内容：品牌/商标 NXP 型号/规格 BT136-600D，BT134-600E/D,BT136-600E/D，BT137-600E/D,BT138-600E/D,BT139-600E 控制方式 双向可控硅 极数 三极 封装材料 金属封装 封装外形 平板形 关断速度 普通 散热功能 带散热片 功率特性 大功率 频率特性 中频 控制极触发电压 ６００（V）
