SMS05T1G阻尼二极管
| 价 格： | 0.50 |
| 品牌/商标 | ON(安森美） | 型号/规格 | SMS05T1G |
| 产品类型 | 广泛 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 无色散射封装(W) | 出光面特征 | 方形 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 正向直流电流IF | 厂家标准规格（A） |
| 反向电压 | 厂家标准规格（V） |
350 W, 5 V TVS Quad Array
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GRM21BR71H104KA01L
信息内容：品牌/商标 村田 型号/规格 GRM21BR71H104KA01L 介质材料 陶瓷(瓷介) 应用范围 高压 外形 方块状 功率特性 大功率 频率特性 高频 调节方式 固定 引线类型 无引线 允许偏差 ±10（%） 耐压值 50（V） 等效串联电阻(ESR) 1（mΩ） 标称容量 0.1uf 损耗 1 额定电压 1（V） 额定电流 1（A）
IRF530NSTRLPBF增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF530NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
