品牌/商标 | APEC台湾富鼎 | 型号/规格 | AP9972GP |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | CHOP/斩波、限幅 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
APEC台湾富鼎 AP9972GP 电压:60V 电流:60A
完美代替IRFZ44N
AP432T |
AP432T(lead free) |
AP01N60H |
AP01N60J |
AP02N60i |
AP02N60P |
AP02N90J |
AP03N70P-H |
AP03N70P-A |
AP04N70BP-A |
AP04N70BP-A |
AP09N70P-P |
AP09N70P-A |
AP15N03GH |
AP15N03H |
AP20N03P |
AP40N03GP(bag) |
AP40N03GP(tube) |
AP40N03P |
AP40T03GH |
AP40T03GJ |
AP60N03GS |
完美代替IRFZ44N
品牌/商标 APEC 型号/规格 AP2305AGN 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MIN/微型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 .(V) 夹断电压 .(V) 跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW) AP4410GM VDS=30V IDS=10A SO-8(M)AP4435GM VDS=-30V IDS=-9A SO-8(M)AP9410GM VDS=30V IDS=18A SO-8(M)AP9435GM VDS=-30V IDS=-5.3A SO-8(M)AP9926GM VDS=20V IDS=6A SO-8(M)AP2305...
品牌/商标 Infineon英飞凌 型号/规格 IDW75E60 应用范围 复合 功率特性 大功率 频率特性 高频 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 营销方式 现货 产品性质 热销