IXTH260N055T2 IXYS 货期10周
| 价 格： | 23.00 |
| 品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | IXTH260N055T2 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | UNI/一般用途 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 原厂标准（V） | 夹断电压 | 原厂标准（V） |
| 跨导 | 原厂标准（μS） | 极间电容 | 原厂标准（pF） |
| 低频噪声系数 | 原厂标准（dB） | 漏极电流 | 原厂标准（mA） |
| 耗散功率 | 原厂标准（mW） |
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品牌 | 型号 | 最少订量 | 单价 | 交货期 |
IXYS | IXTH260N055T2 | 3000 PCS | RMB 23.00 | 10 WEEKS |
- 所属城市：浙江 杭州
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PBR951,215 NXP 双极晶体管
信息内容：品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 PBR951,215 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 集电极允许电流ICM 0.1（A） 营销方式 现货 产品性质 热销
瞬变抑制二极管 PESD5V0S1BB ,115 NXP TVS
信息内容：品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 PESD5V0S1BB ,115 产品类型 瞬变抑制二极管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率
