SI7945DP-T1-GE3 - MOSFET,
| 价 格： | 12.50 |
| 品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | SI7945DP-T1-GE3 - MOSFET,PP CH,30V,7A,PPAK SO8 |
| 批号 | NEW | 封装 | SO8 MOSFET |
| 营销方式 | 库存 | 产品性质 | 热销 |
| 类型 | 通信IC |
Description
- MOSFET,PP CH,30V,7A,PPAK SO8
- Module Configuration:Dual P Channel
- Transistor Polarity:P-Channel
- Max Current Id:-7A
- Max Voltage Vds:-30V
- On State Resistance:16mohm
- Rds Measurement Voltage:-10V
- Typ Voltage Vgs th:20V
- Power Dissipation:1.4W
- Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
- Transistor Case Style:SOIC
- No. of Pins:8
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 侯林
- 电话：21-58217591
- 传真：21-58217591
- 手机：
- QQ ：
MR62-24US继电器，欢迎来电
信息内容：品牌/商标 NEC 型号/规格 MR62-24US 触点形式 常闭型 应用范围 其他 制造商: NEC 库存编号: 1094025 制造商编号: MR62-24USBRoHS协从产品:dzsc/18/6094/18609477.jpg是描述系列:MR62线圈电压 直流 标称值:24V线圈电阻:1.050kohm极数:2触点类型:DPCO触点电压 交流 :250V触点电压 直流 :220V触点电流 交流 :2A触点电流 直流 :2A安装类型:PCB外部长度/高度:11.4mm外宽:20.2mm外部深度:9.8mm工作温度:-40°C工作温度:70°C切换电流, :2A动作时间:3ms开关功率, :60W批准机构:UL, CSA开关功率, VA:125VA线圈工作%上限:125%线圈工作%下限:30%线圈直流功率:550mW触点材料:银合金金涂层触点镀层: 金释放时间:2ms
IRF3710
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP250NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 制造商: INTERNATIONAL RECTIFIER 库存编号: 8649260 制造商编号: IRFP250NPBFRoHS协从产品:dzsc/18/6096/18609653.jpg是描述晶体管类型:MOSFET晶体管极性:N沟道电压, Vds 典型值:200V电流, Id 连续:30A开态电阻, Rds(on):0.075ohm电压 Vgs @ Rds on 测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V封装类型:TO-247AC表面安装器件:通孔安装功率, Pd:214W功耗:214W热阻, 结至外壳 A:0.83°C/W电压, Vds :200V电流, Idm 脉冲:120A针脚数:3阈值电压, Vgs th :4VTransistor Case Style:TO-247AC
