价 格: | 面议 | |
型号/规格: | S9012 | |
品牌/商标: | HT | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
极性: | |
一、振荡用贴片三极管参数:
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(): 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(): 20V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 600mV @ 50mA, 500mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 112 @ 50mA, 1V
功率 - : 625mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 散装
二、振荡用贴片三极管简易测量及性能判断:
(1) 用万用表电阻档测ICEO和β
基极开路,万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反),此时c、e间电阻值大则表明ICEO小,电阻值小则表明ICEO大。
用手指代替基极电阻Rb,用上法测c、e间电阻,若阻值比基极开路时小得多则表明 β值大。
(2) 用万用表hFE档测β
有的万用表有hFE档,按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数β,若β很小或为零,表明三极管己损坏,可用电阻档分别测两个PN结,确认是否有击穿或断路。
一、开关用贴片三极管参数: 晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(): 500mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 20V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 600mV @ 50mA, 500mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 144 @ 50mA, 1V 功率 - : 625mW 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3 标准主体 供应商设备封装: TO-92-3 包装: 散装 二、开关用贴片三极管应用: 开关用贴片三极管工作状态有三种,放大、饱和、截止,其中又以放大状态最为复杂,主要用于小信号的放大领域,常用的三极管放大电路形式有:共发射极放大电路,共集电极放大电路,共基极放大电路三种,其中共集电路用于电流放大(功率放大),共基电路用于高频放大,共射电路用于低频放大。
一、仪表用贴片三极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 600mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 160V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 200mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 80 @ 10mA, 5V 功率 - : 350mW 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23 包装: 带卷 (TR) 二、仪表用贴片三极管用指针式万用表检测: 首先选量程:R﹡100或R﹡1K档位;然后,测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值,红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好。再次,测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好。倘若测试结果偏离甚远,就可以认为管子是坏的,如极间击穿,则正、反向电阻值均为零。若烧断,则均为无穷大。测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极...