品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | 2N3055 |
应用范围 | 开关 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 60(V) |
集电极允许电流ICM | 15(A) | 集电极耗散功率PCM | 115(W) |
截止频率fT | 3(MHz) | 结构 | 扩散型 |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
品牌/商标 Microchip 型号/规格 25LC512-I/SM 封装 8-SOIC 批号 10+ 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 33(mm) 工作温度 -40~85(℃) 静态功耗 33(mW) 类型 单片机 制造商: Microchip 产品种类: EEPROM RoHS: 详细信息 存储容量: 512 Kbit 组织: 64 K x 8 接口类型: SPI 时钟频率: 20 MHz 访问时间: 50 ns 电源电压(值): 5.5 V 电源电压(最小值): 2.5 V 工作电流: 5 mA 工作温度: + 85 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIJ 封装: Tube 最小工作温度: - 40 C 工作电源电压: 2.5 V, 5.5 V 工作温度: - 40 C to + 85 C
品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF530 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 10(V) 夹断电压 100(V) 跨导 66(μS) 极间电容 55(pF) 低频噪声系数 44(dB) 漏极电流 1400(mA) 耗散功率 88000(mW)