可控硅BT139-600E(图)
| 价 格： | 1.10 |
| 品牌/商标 | PHL | 型号/规格 | BT139-600E |
| 封装材料 | 金属封装 | 控制方式 | 双向 |
| 极数 | 三极 | 额定正向平均电流 | 16（A） |
| 控制极触发电压 | 600（V） | 额定结温 | 125（℃） |
| 产品数量： | 现货 | ||
| 价格说明： | 面议 | ||
| 型号：BT139-600 | |||
| 电流/IT(RMS)：16(A) | |||
| 电压/VDRM：(600V) | |||
| 触发电流/IGT： | |||
| IGTⅠ：(T2+G+)：5～35mA (象限) | |||
| IGTⅡ：(T2+G-)：8～35mA (第二象限) | |||
| IGTⅢ：(T2-G-)：10～35mA (第三象限) | |||
| IGTⅣ：(T2-G+)：22～70mA (第四象限) | |||
| 触发电压/VGT： | |||
| VD=12V；IT=0.1A； 0.7～1.5V | |||
| VD=400V；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V | |||
| 工作温度：125℃ ( 储存温度：-40～+150℃ ) | |||
| 门极散耗功率：0.5W | |||
| 供应BT139-600,价格合理,有意者请联系! | |||
| 型号 | BT139-600 | 电流 | 16（A） | |
| 电压 | 600（V） | 发货期限 | 10 | |
| 封装形式 | TO-220AB |
- 所属城市：广东 广州
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可控硅BTA26-600B
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 BTA26-600B 控制方式 双向 极数 三极 封装材料 金属封装 额定正向平均电流 26（A） 主要特性：符号数值单位IT（RMS）25AVDRM/VRRM600和800VIGT（Q1）35-50mA额定值符号参数数值单位IT(RMS)均方根（RMS）通态电流（全正弦波）TO-220ABTC=100℃25AITSM不重复浪涌峰值通态电流（全周期，Tj初始=25℃）F=50HZT=20ms250AF=60HZT=16.7ms260I2tI2t熔断值Tp=10ms340A2sdi-dt通态电流临界上生率IG=2ΧIGT，tr≤100ns重复F=120HZ50A/usIGM门极峰值电流TP=20usTj=125℃4APG(AV)门极平均功耗Tj=125℃1WTSTgTj贮存结温范围工作结温范围-40to+150-40to+125℃说明BTA/BTB24/25/26采用通孔或表面组装封装，适用于通用交流开关操作，在静态继电器，加热调节器，感应电机启动电路等应用中，该系列产品可用于执行通断功能，在照明变光器和电机速度控制器中，可用相位控制操作。 因为具有十分优异的换向性能，无缓冲器型（BTA/BTB）...
可控硅BT136-600E，双向可控硅
信息内容：品牌/商标 PHL 型号/规格 BT136-600E 封装材料 金属封装 控制方式 双向 极数 三极 额定正向平均电流 4（A） 控制极触发电压 600（V） 控制极触发电流 IGT（mA） 产品数量：现货价格说明：面议型号：BT136-600电流/IT(RMS)：4(A)电压/VDRM：600(V)触发电流/IGT：IGTⅠ：(T2+G+)：5～35mA (象限)IGTⅡ：(T2+G-)：8～35mA (第二象限)IGTⅢ：(T2-G-)：11～35mA (第三象限)IGTⅣ：(T2-G+)：30～70mA (第四象限)触发电压/VGT：VD=12V；IT=0.1A； 0.7～1.5VVD=400V；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V工作温度：125℃ ( 储存温度：-40～+150℃ )门极散耗功率：0.5W供应BT136-600,价格合理,有意者请联系!型号BT136-600 电流4（A）电压600（V） 发货期限10封装形式TO-220AB
