品牌/商标 | NXP恩智浦 | 型号/规格 | PESD5V0S1UB,115 |
产品类型 | 瞬变抑制二极管 | 结构 | 面接触型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 发光颜色 | 原厂标准 |
LED封装 | 无色透明封装(T) | 出光面特征 | 矩形 |
发光强度角分布 | 标准型 | 正向直流电流IF | 原厂标准(A) |
反向电压 | 原厂标准(V) |
Call for pricing 电邮:jason.li@elites.hk
香港原装现货,DC:10+ ,周二、四统一安排报关,大陆交货RMB含税17%
PESD5V0S1UB,115 NXP TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5V ESD PROTECTION
制造商: NXP
产品种类: TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器
RoHS: yes
通道: 1 Channel
封装 / 箱体: SOD-523
封装: Reel
Part # Aliases: 934058511115 PESD5V0S1UB TR
品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 PMBT2222A,215 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 原厂标准(MHz) 集电极允许电流ICM 原厂标准(A) 集电极耗散功率PCM 原厂标准(W) 营销方式 现货 产品性质 热销
品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 BF998,215 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 原厂标准(V) 夹断电压 原厂标准(V) 低频跨导 原厂标准(μS) 极间电容 原厂标准(pF) 低频噪声系数 原厂标准(dB) 漏极电流 原厂标准(mA) 耗散功率 原厂标准(mW)