价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBT3904 | |
品牌/商标: | HT | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
整流电流: | | |
反向击穿电流: | |
一、耐压型贴片二极管参数:
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(): 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
功率 - : 200mW
频率 - 转换: 300MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75, SOT-416
二、产品介绍:
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。
一、SOD贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 200mW 频率 - 转换: 300MHz 二、产品应用: 1、整流 利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。 2、开关 二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。 3、限幅 二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。
一、半柱型贴片三极管参数: 晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(): 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿(): 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止(): 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V 功率 - : 625mW 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23 包装: 剪切带 (CT) 二、用数字式万用表检测: 利用数字万用表不仅能判定晶体管的电极、测量管子的共发射极电流放大系数HFE,还可以鉴别硅管与锗管。由于数字万用表电阻档的测试电流很小,所以不适用于检测晶体管,应使用二极管档或者HFE进行测试。 将数字万用表拨至二极管档,红表笔固定任接某个引脚,用黑表笔依次接触另外两个引脚,如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“OL”或“1”,若是PNP型三极管,则红表笔所接的引脚就是基极B。如果在两次测试中,一次显示值小于1V,另外一次显示溢出符号“OL”或“1”(视不同的数字万用表而定),则表明红表笔接的引脚不是基极B,此时应改换其他引脚重新测量,直到找出基极为止。