NDT2995 制造商Fairchild 产品种类MOSFET 功率 RoHS是 配置Single Dual Drain 晶体管极性P-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通)95 m Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) 5.5 S 汲极/源极击穿电压- 60 V 闸/源击穿电压+/- 20 V 漏极连续电流2.5 A 功率耗散3 W 工作温度+ 150 C 安装风格SMD/SMT 封装 / 箱体SOT-223 封装Reel 下降时间6 ns 最小工作温度- 55 C 上升时间10 ns
UF4007 类别 分离式半导体产品 安装类型 通孔 封装/外壳 DO-204AL, DO-41, 轴向 反向重复峰值电压:1000V; 正向浪涌电流:30A; 正向峰值电压:1.7V; 正向平均电流:1.0A; 反向重复峰值电流:10μA(Ta=25℃),100μA(Ta=100℃); 反向恢复时间:70ns; 封装形式:DO-41
s9014 采用通用型 (Uni),低噪放大 (ra)封装方式。 生产厂家:制作材料:Si-N/P性质:通用型 (Uni),低噪放大 (ra)封装形式:通用型 (Uni),低噪放大 (ra)极限工作电压:30V 电流允许值:0.05A工作频率:<1MHZ或未知引脚数:3可代换的型号:耗散功率:0.3W