IR场效应管，IRF720
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF720 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IR场效应管，IRFP360PBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP360PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 280（mW） 我司长期供应参数为500V,1500mO,4.5A,74W IR功率器件，只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格优势！欢迎垂询！深圳市凌通电子主要从事代理功率器件产品，主要致力于推广功率半导体器件的MOFET, ...
IR/ON场效应管，MUR3040PTG
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 MUR3040PTG 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 400（V） 夹断电压 0（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 0（mW） 我司长期供应参数为500V,850mO,8A,125W IR功率器件，只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格优势！欢迎垂询！深圳市凌通电子主要从事代理功率器件产品，主要致力于推广功率半导体器件的MOFET, ...
