AP72T03GH
| 价 格： | 10.00 |
| 品牌/商标 | 台湾PEC | 型号/规格 | AP72T03GH |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HI-REL/高可靠性 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | .（V） | 夹断电压 | .（V） |
| 低频跨导 | .（μS） | 极间电容 | .（pF） |
| 低频噪声系数 | .（dB） | 漏极电流 | .（mA） |
| 耗散功率 | .（mW） |
AP2310GN
AP72T03GH
AP9972GP
AP20G45
AP20G45EH
AP20G45EJ
AP20G45H
AP20G45H-
AP20G45H SMD
AP20G45H.
AP20G45H/I
AP20G45H?
AP20G45HSMD
AP20G45J
AP20G45T
AP20G45T?
AP20HS64110020
AP20K400FI672-2V
AP20N03
AP20N03GH
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AP20N03GH..
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AP20N03GH+
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AP20N03H
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AP20N03J
AP20N03L
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AP2306AGN增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 富鼎APEC 型号/规格 AP2306AGN 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 充电器 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 .（V） 夹断电压 .（V） 低频跨导 .（μS） 极间电容 .（pF） 低频噪声系数 .（dB） 漏极电流 .（mA） 耗散功率 .（mW） 大量现货，原装AP20G45AP20G45EHAP20G45EJAP20G45HAP20G45H-AP20G45H SMDAP20G45H.AP20G45H/IAP20G45H?AP20G45HSMDAP20G45JAP20G45TAP20G45T?AP20HS64110020AP20K400FI672-2VAP20N03AP20N03GHAP20N03G...
增强型MOS管N沟道 AP6900GH
信息内容：品牌/商标 APEC富鼎 型号/规格 AP6900GH 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HG/高跨导 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 SDPAK（V） 夹断电压 .（V） 跨导 .（μS） 极间电容 .（pF） 低频噪声系数 .（dB） 漏极电流 .（mA） 耗散功率 .（mW）
