价 格: | 8.00 |
品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | IHW20N120R3/H20R1203 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
开启电压 | 1.48(V) | 夹断电压 | 1.75(V) |
跨导 | 42(μS) | 极间电容 | 453(pF) |
低频噪声系数 | 12(dB) | 漏极电流 | 23(mA) |
耗散功率 | 5(mW) |
品牌/商标 NEC 型号/规格 2SK4145 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4(V) 夹断电压 60(V) 跨导 10(μS) 极间电容 22(pF) 漏极电流 100(mA) 耗散功率 200(mW) 2SK4145为大多数控制器厂家所用,替代75N75 AOT430 ,不需改版,随时替代,质优价廉,并长期备有大量现货,如有需求,可随时致电洽商我们货源充足,品种齐全,质量优越,价格合理,我们在国内市场中具备的竟争优势,能给众多生产商创造一定的经济效益。本公司拥有的元件质量检测系统...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3007PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 2.0-4.0(V) 夹断电压 75(V) 跨导 20(μS) 极间电容 +-50(pF) 低频噪声系数 12(dB) 漏极电流 200(mA) 耗散功率 10000(mW)