品牌/商标 IR 型号/规格 IRF840PBF 封装 TO-220AB 批号 2011+ 类型 其他IC 規格書IRF840PBF產品相片TO-220AB PKG產品目錄繪圖IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2標準包裝1,000類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列-FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C850 毫歐姆 @ 4.8A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)500V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C8AId時的Vgs(th)(值)4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs63nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)1300pF @ 25V功率 - 125W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝*其他名稱*IRF840PBF
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQP50N06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 60(V) 夹断电压 56(V) 低频跨导 40(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 2300(mA) 耗散功率 1200(mW)