品牌/商标 | ON/长电/仙童 | 型号/规格 | 2N5551 |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | 小功率 |
频率特性 | 中频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | TO-92 | 封装材料 | 树脂封装 |
截止频率fT | 50(MHz) | 集电极允许电流ICM | 600m(A) |
集电极耗散功率PCM | 625m(W) | 营销方式 | 现货 |
产品性质 | 热销 |
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特价现货供应 三极管2N5551
2N5550/2N5551 NPN小功率三极管,可与2N5400/2N5401 PNP管做互补对称管.
2N5550 电流增益带宽积100-300MHZ 放大倍数 60-250
2N5551 电流增益带宽积100-300MHZ 放大倍数 80-250
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外形及引脚图
参数管脚838电子 | 符号 | 2N5550 | 2N5551 | 单位 | |
集电极-发射极电压 | VCEO | 140 | 160 | V | |
集电极-基极电压 | VCBO | 160 | 180 | V | |
发射极-基极电压 | VEBO | 6.0 | V | ||
集电极电流-连续 | Ic | 600 | mA | ||
器件耗散 | @ TA = 25℃ | PD | 625 | mW | |
Derate above 25℃ | 5.0 | mW/℃ | |||
操作和存储结温范围 | TJ,Tstg | –55 to +150 | ℃ |
品牌/商标 Fairchild 型号/规格 FDN337N SOT-23 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 5(V) 夹断电压 2(V) 低频跨导 10(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 20(dB) 漏极电流 2(mA) 耗散功率 3(mW) dzsc/18/5915/18591599.jpg技术/目录信息FDN337N销售商Fairchild Semiconductor (VA)分类分离式半导体产品安装类型表面贴装FET 型N 沟道漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C在 2.2A、4.5V 时为 65 毫欧...
品牌/商标 TOSHIBA/长电 型号/规格 1SS193 应用范围 放大 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 SOT-23 封装材料 树脂封装 截止频率fT 50(MHz) 集电极允许电流ICM 100M(A) 集电极耗散功率PCM 225M(W) 营销方式 现货 产品性质 热销 dzsc/18/5949/18594957.jpg特价现货供应 三极管1SS193東芝ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形1SS193○ 超高速度スイッチング用外形が小さい。 : SC-59順方向特性が良い。 : VF = 0.9V (標準)逆回復時間が短い...