仙童FSC场效应管（MOS），5N60
| 价 格： | 1.50 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQP5N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 1200（V） |
| 跨导 | 250（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IR功率器件场效应管,IRF830PBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF830PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 50（mW） 我公司供应IR(国际整流器公司)功率器件IRF830PBF,其耐压为500V,电流为4.5A, N沟道,全新原装公司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格有优势！深圳市凌通电子主要从事代理功率器件产品，主要致...
耐压600V,电流为4A场效应管，HFS4N60
信息内容：品牌/商标 韩国 SEMIHOW 型号/规格 HFS4N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 800（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 100（mW）
