品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | 450V1000UF,450V680UF |
介质材料 | 铝电解 | 应用范围 | 滤波 |
外形 | 圆柱形 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 超高频 | 调节方式 | 固定 |
引线类型 | 轴向引出线 | 允许偏差 | ±20(%) |
耐压值 | 450(V) | 标称容量 | 680 |
损耗 | 1 | 额定电压 | 450(V) |
额定电流 | 3(A) |
品牌/商标 富士通 型号/规格 K2850 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 长年现货供应拆机电子元器件,产品有场效应管,开关功率管,三极管,肖特基,快恢复.整流二极管.电解电容,排桥,硅桥.产品应用于开关电源,电磁炉长年现货供应拆机电子元器件,产品有场效应管,开关功率管,三极管,肖特基,快...
品牌/商标 ST 型号/规格 STPR1620CT 产品类型 快恢复二极管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装材料 金属封装 Symbol Parameter Value UnitVRRM Repetitive peak reverse voltage 200 VIF(RMS) RMS forward current 20 AIF(AV) Average forward currentδ = 0.5Tc=120°C Per diodePer device816AIFSM Surge non repetitive forward current tp=10ms sinusoidal 80 ATstg Storage temperature range - 65 to + 150 °CTj Maximumoperating junction temperature 150 °CABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)