现UTC 1N60AL-A-T92增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | UTC | 型号/规格 | 1N60AL-A-T92 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 600（mW） |
| Repetitive Peak off-state volt | 600V |
| Off-State Voltage | 600V |
| Hold Current | 15mA |
| Gate Trigger Current (Max) | 5mA |
| Gate Trigger Voltage (Max) | 2V |
| Package Type | TO-92 |
| Packaging | Bulk |
| Peak Repeat Off Current | 100uA |
| Peak Surge on-state current (Max) | 10A |
| On State Voltage(max) | 1.8@1.12AV |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Operating Temp Range | -40C to 125C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
- 所属城市：江苏 苏州
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KBU8M/KBU808/KBU8ABDGJK阻尼二极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 KBU8A KBU8B KBU8D KBU8G KBU8J KBU8K KBU8M KBU808 产品类型 整流桥、高压硅 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 正向直流电流IF 8（A） 反向电压 1000（V） Product Category:Bridge Rectifiers RoHS:dzsc/18/5913/18591355.gif Product:Single Phase Bridge Peak Reverse Voltage:1000 V Maximum RMS Reverse Voltage:700 V Forward Continuous Current:8 A Max Surge Current:300 A Forward Voltage Drop:1 V Maximum Reverse Leakage Current:10 uA Power Dissipation:6.9 W Maximum Operating Temperature:+ 150 C Minimum Operating Temperature:- 55 C Package / Case:KBU-4 Packaging:Bulk具体信息请联系获取规格书.
现货ST STM8L101F2P6TR
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 STM8L101F2P6TR 封装 20-TSSOP 批号 2010+ 类型 其他IC 此为含税价格STMicroelectronics --STM8L101F2P6TR---IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20TSSOP----标准包装 2,500 类别 集成电路 (IC) 家庭 嵌入式 - 微控制器， 系列 STM8L EnergyLite 核心处理器 STM8芯体尺寸 8-位 速度 16MHz连通性 I2C，SPI，UART/USART外围设备 红外线，POR，PWM，WDT输入/输出数 18程序存储器容量 4KB (4K x 8)程序存储器类型 闪存EEPROM 大小 -RAM 容量 1.5K x 8电压 - 电源 (Vcc dd) 1.65 V ~ 3.6 V数据转换器 -振荡器型 内部工作温度 -40°C ~ 85°C封装/外壳 20-TSSOP（0.173", 4.40mm 宽）包装 带卷 (TR)
