价 格: | 1.10 | |
型号/规格: | IRF9530 IRF9540 | |
品牌/商标: | IR | |
封装形式: | TO-220 | |
环保类别: | 普通型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特征: | |
场效应器的基本结构
场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型。
一、基本结构
场效应管是利用改变电场来控制半导体材料的导电特性,不是像三极管那样用电流控制PN结的电流。因此,场效应管可以工作在极高的频率和较大的功率。此外,场效应管的制作工艺简单,是集成电路的基本单元。
场效应管有结型和绝缘栅型两种主要类型。每种类型的场效应管都有栅极g、源极s和漏极d三个工作电极,同时,每种类型的场效应管都有N沟道和P沟道两种导电结构。
绝缘栅型场效应管又叫做MOS管。根据在外加电压Vgs=0时是否存在导电沟道,绝缘栅场效应管又可分为上增强型和耗尽型。增强型MOS管在外加电压Vgs=0时不存在导电沟道,而耗尽型MOS的氧化绝缘层中加入了大量的正离子,即使在Vgs=0时也存在导电沟道。
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场效应器的基本结构 场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型。 一、基本结构 场效应管是利用改变电场来控制半导体材料的导电特性,不是像三极管那样用电流控制PN结的电流。因此,场效应管可以工作在极高的频率和较大的功率。此外,场效应管的制作工艺简单,是集成电路的基本单元。 场效应管有结型和绝缘栅型两种主要类型。每种类型的场效应管都有栅极g、源极s和漏极d三个工作电极,同时,每种类型的场效应管都有N沟道和P沟道两种导电结构。 绝缘栅型场效应管又叫做MOS管。根据在外加电压Vgs=0时是否存在导电沟道,绝缘栅场效应管又可分为上增强型和耗尽型。增强型MOS管在外加电压Vgs=0时不存在导电沟道,而耗尽型MOS的氧化绝缘层中加入了大量的正离子,即使在Vgs=0时也存在导电沟道。
场效应器的基本结构 场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型。 一、基本结构 场效应管是利用改变电场来控制半导体材料的导电特性,不是像三极管那样用电流控制PN结的电流。因此,场效应管可以工作在极高的频率和较大的功率。此外,场效应管的制作工艺简单,是集成电路的基本单元。 场效应管有结型和绝缘栅型两种主要类型。每种类型的场效应管都有栅极g、源极s和漏极d三个工作电极,同时,每种类型的场效应管都有N沟道和P沟道两种导电结构。 绝缘栅型场效应管又叫做MOS管。根据在外加电压Vgs=0时是否存在导电沟道,绝缘栅场效应管又可分为上增强型和耗尽型。增强型MOS管在外加电压Vgs=0时不存在导电沟道,而耗尽型MOS的氧化绝缘层中加入了大量的正离子,即使在Vgs=0时也存在导电沟道。 瑜诚达电子经营:大中小三极管(普通管、三端稳压、场效应管、高压开关管、肖特基、快恢复),封装(TO-251 SOT-252 TO-220 TO-247 TO-3P TO-3PL) 牛角式吕电解电容(高中低符),型号齐全,以守信誉、重...