8N60场效应管-8N60场效应管-8N60场效应
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 国产，进口 | 型号/规格 | 多型号/规格 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 来电垂询（V） | 夹断电压 | 来电垂询（V） |
| 低频跨导 | 来电垂询（μS） | 极间电容 | 来电垂询（pF） |
| 低频噪声系数 | 来电垂询（dB） | 漏极电流 | 来电垂询（mA） |
| 耗散功率 | 来电垂询（mW） |
场效应管大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
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全系列电容器，铝电解电容器
信息内容：品牌/商标 国巨、TDK 型号/规格 多型号/规格 介质材料 钽电解 应用范围 高频消振 外形 圆柱形 功率特性 大功率 频率特性 超高频 调节方式 固定 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±0.02（%） 耐压值 6.3（V） 标称容量 视型号/规格定 损耗 视型号/规格定 额定电压 视型号/规格定（V） 额定电流 视型号/规格定（A） 使用条件1、安装运行地区的海拔≤2000m及I 级污秽地区。2、电容器投入时剩余电压不超过额定电压的10%。3、电容器运行温度范围为-25~+55℃。4、电容器的湿热严酷度为21d。型号含...
二极管BAV99-二极管BAV99-品质保证
信息内容：品牌/商标 国产，进口 型号/规格 BAV99 产品类型 开关管 结构 点接触型 材料 锗(Ge) 封装形式 贴片型 封装材料 金属封装 功率特性 中功率 频率特性 中频 发光颜色 黄色 LED封装 加色散射封装(D) 出光面特征 方形 发光强度角分布 高指向性 正向直流电流IF 来电垂询（A） 反向电压 来电垂询（V） 产品描述： 二极管类型:小信号 电流, If 平均:200mA 电压, Vrrm:70V 正向电压 Vf :1V 时间, trr :6ns 电流, Ifs :4.5A 封装形式:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):C...
