原装6CWQ04FNTR肖特基增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | 6CWQ04FNTR |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | SB肖特基势垒栅 |
原装现货，欢迎查询
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| 正向连续电流: | 3.5 A |
| 浪涌电流: | 500 A |
| 配置: | Dual Common Cathode |
| 正向电压下降: | 0.67 V at 6 A |
| 反向漏泄电流: | 2000 uA |
| 工作温度范围: | - 40 C to + 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | DPAK (TO-252AA) |
| 封装: | Reel |
- 所属城市：广东 深圳
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hcnw4503光电耦合
信息内容：品牌/商标 安捷伦 型号/规格 hcnw4503 封装 SOP-8 批号 2004 类型 通信IC 现货提供,质量有保证SOP-8,DIP-8 DIP-8 描述通道数:1隔离电压:5000V ac输出类型:晶体管输入电流:50mAOpto Case Style:DIP针脚数:8SVHC(高度关注物质):No SVHC光电耦合器类型:晶体管输出共模抑制(CMR):15kV/µs外宽:11.15mm外部深度:9.0mm外部长度/高度:5.10mm封装类型:DIP工作温度:-55°C工作温度:100°C工作温度范围:-55°C to +100°C批准机构:CSA, IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 认证，UL 认可波特率, Bd:1Mbaud波特率, 比特/秒:1Mbps电源电压 :30V电源电压 最小:15V输出电压 :20V电流传递率(CTR) 最小值:25%电流传递率(CTR), 典型值:19%输入逻辑兼容性:TTL输出逻辑兼容性:TTL
